DRAM وNAND يحققان قفزة هائلة! رقائق التخزين تصبح العملة الصلبة الأكثر قيمة في عصر الذكاء الاصطناعي، Micron وSanDisk يستقبلان "الأرباح الفائقة للذكاء الاصطناعي"

ذكرت صحيفة "المعرفة المالية الذكية" أن الطلب القوي للغاية على الذكاء الاصطناعي ومراكز البيانات يؤدي إلى استمرار ارتفاع أسعار سلسلة تخزين DRAM/NAND، وقد أصبح عملاقا التخزين الأمريكيان Micron Technology (MU.US) وSanDisk (SNDK.US) مرة أخرى محور انتباه المستثمرين العالميين وسط الارتفاع القوي لأسهم التقنية الأمريكية يوم الأربعاء، حيث ارتفعت أسهم الشركتين بنسبة تقارب 6% عند إغلاق السوق، مما دفع قطاع التخزين ومؤشر ناسداك للصعود بقوة. وأظهر تقرير بحثي حديث صادر عن BNP Paribas أن أسعار عقود DRAM في الربع الأول من عام 2026 قد ترتفع بنسبة 90% على أساس ربعي، بينما من المتوقع أن ترتفع أسعار NAND، المعروفة تاريخيًا بمسارها السعري المستقر، بنسبة 55%، بالإضافة إلى استمرار هذا الاتجاه التصاعدي في الأسعار منذ النصف الثاني من 2025 خلال الربع الثاني.

توقعات BNP Paribas بشأن استمرار ارتفاع أسعار التخزين ليست رأيًا منفردًا. فقد قامت TrendForce مؤخرًا بتحديث توقعاتها لأسعار عقود DRAM التقليدية للربع الأول من 2026 إلى زيادة بمعدل 90%-95% على أساس ربعي، بعد أن كانت تتوقع 55%-60% فقط، كما رفعت توقعات أسعار عقود NAND Flash إلى 55%-60% QoQ، مشيرة إلى أن طلب شركات الحوسبة السحابية في أمريكا الشمالية على SSD المؤسسية (أي SSD لمراكز بيانات الشركات، eSSD) قد ارتفع بشكل كبير، ويدفع الأسعار إلى الارتفاع بنسبة إضافية قدرها 53%-58% QoQ في الربع الأول من العام. وتدل هذه الاتجاهات على حقيقة رئيسية: شرائح التخزين أصبحت "المركز المطلق" في طفرة الذكاء الاصطناعي، ما يوازي رقائق AI من Nvidia، وتظل من أبرز أزمات العرض والطلب التي تظهرها هذه الموجة وتمثل أحد مفاصل التحكم في التسعير الأساسي.

اتجاه الارتفاع الجنوني لأسعار التخزين لا يتوقف، وBNP Paribas تتوقع استمرار قفزة Micron وSanDisk

كتب المحلل البارز لدى BNP Paribas Karl Ackerman في تقرير للعملاء: "تحليلنا المتعمق لأكثر من 50 نوعًا من منتجات DRAM وأكثر من 75 نوعًا من عقود NAND في الربع الأول، يجعلنا نتوقع ارتفاع متوسط أسعار DRAM بشكل كبير بنسبة 90% على أساس ربع سنوي، تليها زيادة أخرى في الربع الثاني؛ السبب الجذري هو الطلب المتزايد على خوادم الذكاء الاصطناعي، ما يسبب اختلالاً أوسع بين العرض والطلب ويشكل ضغطًا تصاعديًا مستمرًا على الأسعار."

"أما بالنسبة لمنتجات التخزين من نوع NAND، نتوقع ارتفاع الأسعار بنسبة 55% QoQ في الربع الأول، يعقبها زيادة أخرى في الربع الثاني، وهو ما يغذيه الخلل في ديناميكية العرض، حيث يواصل الموردون تحويل طاقاتهم نحو منتجات NAND المؤسسية عالية الأداء، مع حذر شديد في توسيع الإنتاج."

وقد حدد المحلل Ackerman سعر هدف Micron عند 500 دولار خلال 12 شهرًا، وSanDisk عند 650 دولارًا. عند إغلاق سوق الأسهم الأمريكية الأربعاء، ارتفع سهم Micron بنسبة 5.55% إلى 400.77 دولار، وارتفع SanDisk بنسبة 5.95% إلى 599 دولار، وتشير أهداف BNP Paribas إلى أن المسار الصاعد القوي منذ 2025 لم ينته بعد.

وبالتعمق أكثر، أشار Ackerman أن الأسعار الفورية في فبراير كانت أكثر قوة، وبالنظر إلى العلاقة بين الأسعار الفورية وأسعار العقود المستقبلية، فإن الاقتراب من تجديد العقود يمثل إشارة إيجابية جدًا لصناعة شرائح التخزين ككل.

وأوضح Ackerman: "في الدورات الصاعدة، غالبًا ما تتفوق الأسعار الفورية للـ DRAM وNAND على أسعار العقود بشكل ملحوظ. أظهر تسعير السوق في فبراير أن أسعار DDR4 الفورية للاستخدامات الإلكترونية الاستهلاكية ارتفعت بنسبة 11% على أساس ربعي (مما يعني ارتفاع سنوي قدره 1284%) إلى 21.93 دولار/GB، في حين ارتفعت أسعار العقود بنسبة 7% على أساس ربعي (مقابل ارتفاع سنوي من Nvidia قدره 688%) إلى 12.17 دولار/GB، ما يعني أن السعر الفوري أعلى من سعر العقد بنسبة 80%. بصورة مشابهة، ارتفعت أسعار DDR5 الفورية بنسبة 9% (ارتفاع سنوي 673%) إلى 19.13 دولار/GB، بينما ارتفعت أسعار العقود بنسبة 3% (384% سنويًا) إلى 11.04 دولار/GB، ما يعني أن السعر الفوري يتفوق بنسبة 73% عن العقود."

بالإضافة لذلك، أفادت عدة وسائل إعلام دولية الأربعاء أن عملاق التخزين الأكبر "سامسونج" قام برفع أسعار DRAM (منتجات التخزين من نوع DRAM) بأكثر من 100%. وحسب صحيفة الإلكترونيات الكورية، فقد أتمت Samsung الاتفاق النهائي بشأن أسعار توريد DRAM للربع الأول مع كبار عملائها مثل Apple في الشهر الماضي، وارتفع متوسط الأسعار عبر الخوادم وأجهزة الكومبيوتر والهواتف المحمولة بنحو 100% عن الربع السابق، أي ضعف الأسعار بنهاية الربع الرابع، مع زيادات لدى بعض العملاء والمنتجات تتعدى 100%. وأشارت المصادر إلى اكتمال المفاوضات ودفع بعض العملاء الدوليين. وهذه الزيادة أعلى بـ 30 نقطة عن المستوى المتفق عليه في يناير الماضي عند 70% خلال شهر واحد فقط.

الارتفاع السريع للأسعار يعيد تشكيل قاعدة الاتفاقيات طويلة الأمد في صناعة التخزين عالميًا، خصوصًا مع الاعتماد المتزايد لنظم GPU/TPU على HBM وDRAM وSSD المؤسسي، ما يؤدي إلى اختلال دائم في العرض والطلب. فقد تقلصت دورات المفاوضات من عقود سنوية تقليدية إلى عقود ربع سنوية، وأحيانًا تحتاج الآن لتعديل شهري، مما يعكس شدة الاختلال في سوق شرائح التخزين.

"سلسلة حسابات الذكاء الاصطناعي من Google" و"سلسلة GPU من Nvidia" لا يمكنها الاستغناء عن التخزين

سواء كانت مجموعة TPU الضخمة للقوة الحاسوبية بقيادة Google، أو تجمعات GPU الضخمة من Nvidia، فلا يمكن الاستغناء عن أنظمة HBM للتخزين المتكاملة مع شرائح الذكاء الاصطناعي، هذا بجانب حاجة شركات التقنية الكبرى مثل Google وOpenAI لتوسيع أو إنشاء مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي، وتشمل الحاجة شراء تخزين DDR5 من مستوى الخوادم، بالإضافة إلى حلول تخزين SSD/HDD عالية الأداء لمستوى الشركات؛ وبخلاف Seagate وWestern Digital اللتين تحتكران أقراص HDD ذات السعات الكبيرة، تركز SanDisk على eSSD عالي الأداء، أما三星电子 وSK Hynix وMicron فهم المصنعون الأساسيون لشرائح التخزين ويشغلون مواقع مفصلية في HBMs وDRAM للخوادم (بما في ذلك DDR5/LPDDR5X)، وSSD المؤسسي عالي المستوى (eSSD)، ما يجعلهم من أكبر المستفيدين من "البنية التحتية للذكاء الاصطناعي".

من المنظور النظري للأجهزة، فإن الحوسبة في الذكاء الاصطناعي لا تحدها فقط القوة الحسابية بل أيضًا "إمكانيات نقل البيانات". سواء كانت GPU من Nvidia أو نظام TPUs للحساب،العامل الحقيقي المحدد لكفاءة التدريب والاستدلال للنماذج الضخمة ليس فقط عدد Tensor Core/وحدات المصفوفة، بل هو السرعة (عرض النطاق الترددي) التي يمكن عبرها تغذية الأوزان و KV cache، وقيم التفعيل، والتنسورات الوسيطة للنواة الحسابية في كل ثانية.

من زاوية التحليل التقاطعي بين أشباه الموصلات وبنية مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي التحتية، فإن السبب في أن شرائح التخزين "تأخذ مكانها المثالي" في موجة الذكاء الاصطناعي، هو أنها تحقق فائدة من التوسع في كل من التدريب والاستدلال، وتعد بمثابة "نقطة تحصيل رسوم عامة" عبر الأنظمة والمنصات والبيئات المختلفة. ومع تحول عصر الذكاء الاصطناعي نحو وكلاء الذكاء الاصطناعي والسياق الطويل والاستدلال المعزز بالبحث، ستزداد الحاجة للطاقة الاستيعابية وعرض النطاق والكفاءة الطاقية وطبقة التخزين الدائمة بصورة أكبر.

وتوضح إحدى وثائق Google الرسمية أن Cloud TPU يدعم HBM (الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي) لتمكين النماذج ذات المعاملات الكبيرة و"batch size" الضخمة؛ بينما رفعَ Ironwood TPU الخاص بعصر "الاستدلال" سعة وعرض نطاق HBM بشكل أكبر. أما نظام القوة الحسابية لـ Nvidia فيعتمد بوضوح على HBM: أعلى نموذج لبطاقات Blackwell Ultra GPU يدعم 288GB من HBM3e، فيما GB300 NVL72 يعتمد في بنيته على رفع استيعاب HBM لتكبير حجم الاستدلال طويل السياق. وبدون HBM، لا يمكن استغلال القوة القصوى لـ GPU/TPU فعليًا؛ وتحدد سعة وعرض النطاق للتخزين قدرة النماذج الضخمة على العمل بسرعة وكفاءة.

وبالإضافة إلى ذلك، لا تقتصر أنظمة تخزين مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي في الحقيقة على HBM فقط. بل تتألف طبقة التخزين الكاملة للذكاء الاصطناعي من: HBM لتوفير البيانات عالية السرعة بالقرب من المعجلات، DDR5/RDIMM/LPDRAM لتوسعة الذاكرة الداخلية والمعالجة المسبقة للبيانات، بينما SSD المؤسسي يتولى تخزين مجموعات التدريب، ونقاط الفحص، وقواعد البيانات الشعاعية وذاكرات الاستدلال وغيرها من المسارات الدائمة. على سبيل المثال، تعرف Micron حلول تخزين مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي رسميًا على أنها "تشكيلة أجهزة تخزين كاملة" للتدريب والاستدلال؛ وتوضح أن سلسلة eSSD لديها مصممة لضمان تزويد بيانات عالي الكفاءة خلال التدريب والاستدلال. وتقول TrendForce كذلك إنه مع بلوغ عصر الاستدلال للذكاء الاصطناعي، يتزايد طلب عمالقة الحوسبة السحابية في أمريكا الشمالية سريعًا على التخزين عالي الأداء، كما تجاوز الطلب على eSSD التوقعات بكثير. بعبارة أخرى، لا يمكن الاستغناء عن التخزين في تجمعات GPU للذكاء الاصطناعي، كما هو الحال في تجمعات Google TPU — الفارق فقط في العلامة التجارية للمعجل، أما الأساس فهو من HBM + DRAM للخوادم + NAND/SSD المتكاملة.

وتبنى محللو Citi Group في أحدث ملاحظاتهم حول أسعار التخزين موقفًا أكثر تطرفًا حول "دورة التخزين العملاقة" مقارنة مع UBS وNomura وJPMorgan. ويرى محللو Citi أن الطلب على التخزين بسبب انتشار AI Agent (وكلاء الذكاء الاصطناعي التفاعليون) والطلب المتزايد على ذاكرة CPU المخصصة للذكاء الاصطناعي سيدفع أسعار شرائح التخزين للارتفاع بشكل خارج عن السيطرة في 2026، ولذلك رفعوا توقعاتهم لنمو متوسط سعر DRAM في 2026 من 53% إلى 88%، ولـ NAND من 44% إلى 74%؛ وبفضل الطلب المتزايد من التدريب والاستدلال، يتوقع أن يقفز متوسط سعر خوادم DRAM في 2026 بنسبة 144% على أساس سنوي (كان التقدير السابق +91%)؛ وعلى سبيل المثال، يتوقع Citi أن يبلغ سعر وحدة DDR5 RDIMM ذات 64GB في الربع الأول من 2026 نحو 620 دولار، بزيادة 38% على أساس ربعي، أعلى بكثير من التقدير السابق البالغ 518 دولار.

وفي قطاع NAND، يتسم تكهن Citi أيضًا بالتطرف، إذ رفعوا توقعاتهم لنمو متوسط السعر في 2026 من 44% إلى 74%، مع توقع وصول متوسط سعر SSD المؤسسي إلى نمو سنوي بنسبة 87%. ويعتقد محللو Citi أن سوق شرائح التخزين سيتحول إلى سوق بائعين عنيف للغاية، وسيقع التحكم الكامل في التسعير بيد عمالقة التخزين: Samsung وSK Hynix وMicron وSanDisk.