Navitas svela la quinta generazione della tecnologia SiC Trench-Assisted Planar (TAP)

L'ultima tecnologia GeneSiC™ MOSFET al carburo di silicio (SiC) Trench-Assisted Planar (TAP) di quinta generazione offre significativi miglioramenti in termini di prestazioni, affidabilità e robustezza per data center AI, infrastrutture di rete ed energetiche e l'elettrificazione industriale

TORRANCE, Calif., 12 febbraio 2026 (GLOBE NEWSWIRE) -- Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS), leader di settore nei semiconduttori di potenza in nitruro di gallio GaNFast™ (GaN) e carburo di silicio GeneSiC™ (SiC), ha annunciato oggi il lancio della sua piattaforma tecnologica GeneSiC di quinta generazione. La tecnologia MOSFET ad alta tensione (HV) SiC Trench-Assisted Planar (TAP) rappresenta un significativo salto tecnologico rispetto alle generazioni precedenti e offrirà una linea di MOSFET da 1200V leader nel settore. Si affianca alle tecnologie Navitas ultra-high voltage (UHV) da 2300 V e 3300 V della piattaforma GeneSiC di quarta generazione, estendendo la leadership di Navitas nei data center AI, infrastrutture di rete ed energetiche e nell’elettrificazione industriale.

generazione della piattaforma GeneSiC, ampliando la leadership di Navitas nei data center AI, infrastrutture di rete ed energetiche e nell’elettrificazione industriale.

La piattaforma MOSFET di quinta generazione presenta l’architettura TAP più compatta mai realizzata da Navitas, combinando la robustezza di un gate planare con le migliori prestazioni della categoria rese possibili da una struttura trench nella regione di origine, aumentando al contempo l'efficienza e l'affidabilità a lungo termine per l’elettronica di potenza ad alta tensione.

La piattaforma di quinta generazione stabilisce un nuovo punto di riferimento nella conversione di potenza grazie a un miglioramento del 35% della figura di merito R

× Q (FoM), rispetto alla precedente tecnologia a 1200 V. Questo miglioramento riduce significativamente le perdite di commutazione, permettendo un funzionamento più fresco e una frequenza di lavoro maggiore negli stadi di potenza più esigenti.

La commutazione ad alta velocità è ulteriormente rafforzata da un miglioramento di circa il 25% del rapporto Q

/ Q . Se abbinata a una specifica di tensione di soglia elevata e stabile (V ≥ 3V), questa tecnologia garantisce immunità all’accensione parassita, offrendo un comando del gate robusto e prevedibile anche in ambienti ad alto rumore.

La tecnologia di quinta generazione offre un significativo miglioramento delle prestazioni dinamiche ottimizzando la caratteristica R

× E e integrando una tecnologia "Soft Body-Diode" per aumentare ulteriormente la stabilità del sistema, riducendo al minimo le interferenze elettromagnetiche (EMI) e garantendo una commutazione più fluida durante i cicli di switching ad alta velocità.

La qualificazione di grado AEC-Plus di questa generazione assicura stabilità e durata a lungo termine per le applicazioni in data center AI e infrastrutture energetiche e di rete. I principali parametri di affidabilità includono:

• Test di stress prolungati: durata 3 volte superiore per i test statici ad alta temperatura e alta tensione (HTRB, HTGB e HTGB-R).
• Test avanzati di affidabilità di commutazione: bias inverso dinamico (DRB) e commutazione dinamica del gate (DGS) per rappresentare profili di missione rigorosi per applicazioni di switching veloce.
• Stabilità leader di settore: il minor spostamento della V
  GS,T
  H
  durante lunghi periodi di stress di commutazione per un'efficienza stabile a lungo termine.
• Affidabilità estrema dell’ossido del gate: tempo estrapolato di guasto dell’ossido del gate superiore a 1 milione di anni a V
  GS
  di funzionamento a 18V e 175°C.
• Resistenza avanzata ai raggi cosmici: tassi FIT (Failure In Time) eccezionalmente bassi, garantendo affidabilità mission-critical in ambienti ad alta quota e massima operatività.
  

"I nostri clienti stanno ridefinendo i confini della conversione di potenza nei data center AI e nelle infrastrutture energetiche, e Navitas li accompagna in ogni fase del percorso", ha dichiarato Paul Wheeler, VP & GM della Business Unit SiC di Navitas. Ha aggiunto: "I significativi miglioramenti tecnologici nella nostra tecnologia GeneSiC di quinta generazione sottolineano l’impegno di Navitas a offrire prestazioni e affidabilità leader di settore nei MOSFET al carburo di silicio".

Un white paper sulla tecnologia Trench-Assisted Planar è disponibile per il download gratuito sul sito web di Navitas.

Navitas annuncerà nuovi prodotti basati su questa piattaforma tecnologica di quinta generazione nei prossimi mesi. Per ulteriori informazioni su questa tecnologia, contatta il tuo rappresentante Navitas o scrivi a .

*Navitas utilizza il termine ‘AEC-Plus’ per indicare parti che superano gli standard AEC-Q101 e JEDEC per i test di affidabilità, basandosi sui risultati dei test Navitas.

Informazioni su Navitas
Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) è un leader di nuova generazione nei semiconduttori di potenza in nitruro di gallio (GaN) e dispositivi IC integrati, nonché nella tecnologia ad alta tensione al carburo di silicio (SiC), guidando l’innovazione in data center AI, calcolo ad alte prestazioni, infrastrutture energetiche e di rete e nell’elettrificazione industriale. Con oltre 30 anni di esperienza combinata nelle tecnologie a wide bandgap, gli IC di potenza GaNFast™ integrano potenza GaN, drive, controllo, sensing e protezione, offrendo una consegna di potenza più rapida, maggiore densità di sistema ed efficienza superiore. I dispositivi GeneSiC™ ad alta tensione SiC sfruttano una tecnologia brevettata trench-assisted planar per offrire capacità di tensione leader di settore, efficienza e affidabilità per applicazioni di rete e infrastrutture a media tensione. Navitas possiede oltre 300 brevetti concessi o in attesa di approvazione ed è la prima azienda di semiconduttori al mondo certificata CarbonNeutral

.

Navitas Semiconductor, GaNFast, GaNSense, GaNSafe, GeneSiC e il logo Navitas sono marchi o marchi registrati di Navitas Semiconductor Limited o delle sue affiliate. Tutti gli altri marchi, nomi di prodotti e marchi sono o possono essere marchi registrati utilizzati per identificare prodotti o servizi dei rispettivi proprietari.