Secondo le notizie, Samsung Electronics interromperà la produzione di 2D NAND flash e convertirà le linee di produzione esistenti per la produzione di memoria DRAM a 1c nm.

格隆汇2月26日｜Secondo TheElec, Samsung Electronics interromperà la produzione di memoria flash 2D NAND presso la linea di produzione numero 12 del campus di Hwaseong già a partire da marzo di quest'anno, segnando così la fine ufficiale dell'era della 2D NAND per l'azienda. Samsung Electronics aveva già avviato la produzione di massa della 3D NAND (V-NAND) nel 2013, ma aveva mantenuto una capacità produttiva limitata di 2D NAND per soddisfare la domanda di mercati di nicchia specifici. In futuro, la linea di produzione numero 12 di Hwaseong sarà destinata alla produzione di memoria DRAM a 1c nm, occupandosi delle fasi finali di cablaggio metallico e dei processi di trattamento superficiale.