Alla conferenza di JPMorgan in Corea, SK Hynix: Il ciclo rialzista della memoria è previsto più lungo del previsto
Secondo Zhuifeng Trading Desk, JPMorgan ha pubblicato un rapporto di ricerca l'8 marzo 2026, registrando le dichiarazioni chiave della direzione di SK Hynix alla conferenza coreana di JPMorgan. JPMorgan mantiene il rating "overweight" su SK Hynix, con un prezzo obiettivo di 1,25 milioni di won, implicando un potenziale rialzo di circa il 35% rispetto al prezzo attuale (926.000 won).
Per gli investitori, questa conferenza ha trasmesso i seguenti segnali chiave:
La durata del ciclo rialzista della memoria supererà le aspettative del mercato, con un significativo squilibrio tra domanda e offerta sia lato DRAM che NAND;
La leadership nel settore HBM rimane forte, il programma di produzione di massa di HBM4 non è cambiato e l'obiettivo di redditività rimane invariato rispetto allo scorso anno;
Le strategie dei principali produttori si concentrano ora su "fabbrica prioritaria", il piano di investimento in infrastrutture di circa 22 trilioni di won dimostra una forte determinazione all'espansione a lungo termine;
Aumento della remunerazione per gli azionisti, la società ha annunciato a gennaio 2026 un dividendo speciale di 1 trilione di won e un piano di buyback di azioni proprie, inviando segnali positivi.
La durata del ciclo rialzista supererà le aspettative
La direzione di SK Hynix ha illustrato in modo sistematico i molteplici fattori che contribuiranno a prolungare il ciclo rialzista della memoria:
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L'ascesa delle soluzioni di memoria personalizzate: prodotti personalizzati come HBM (High Bandwidth Memory) stanno rimodellando il panorama del mercato della memoria;
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Cambiamenti nella produzione e nei costi di fornitura dovuti a HBM: a causa della cosiddetta "penalità da wafer a die", HBM consuma una quota maggiore della capacità produttiva;
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La domanda guidata dall'AI si estende verso DRAM/NAND tradizionali: l'espansione delle applicazioni AI sta spostando la domanda di memoria dagli HBM di fascia alta verso DRAM e NAND ordinarie.
Sul fronte domanda-offerta, la direzione ha dichiarato chiaramente che sia DRAM che NAND stanno affrontando gravi squilibri, e che la tendenza all'aumento dei prezzi continuerà nel prossimo futuro prevedibile. Attualmente, sia i fornitori che i clienti dei canali hanno scorte inferiori alla media, e il tasso di crescita del volume spedito in bit è sostanzialmente in linea con il tasso di crescita della produzione in bit.
Gli investitori sono fortemente interessati agli accordi a lungo termine (LTA) e alla continuità del ciclo
In questa conferenza, gli investitori hanno mostrato particolare interesse verso gli accordi di fornitura a lungo termine (LTA) e la continuità del ciclo. La direzione considera l'attuale settore della memoria come in una fase di trasformazione del modello di business e considera il mantenimento del ciclo rialzista come la massima priorità strategica.
Riguardo al quadro delle LTA, la direzione sottolinea:
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Accordi bilaterali più vincolanti sono fondamentali per migliorare la visibilità dei ricavi e dei flussi di cassa;
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Fattori chiave da considerare sono il fissaggio dei volumi forniti e delle fasce di prezzo, per garantire la prevedibilità dei contratti di fornitura;
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Le LTA sono solitamente accordi pluriennali (oltre tre anni);
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JPMorgan ritiene che SK Hynix stia adottando una strategia LTA più bilanciata, cercando un equilibrio tra la struttura della clientela B2B e B2C, mantenendo allo stesso tempo una politica dei prezzi relativamente conservativa.
Leadership solida in HBM, ritorni sul capitale più aggressivi
SK Hynix ha riaffermato i piani complessivi per il business HBM di quest'anno, il programma per la salita in produzione di HBM4 rimane invariato (JPMorgan prevede che il volume spedito in bit di HBM4 raggiungerà il cross-over nel terzo trimestre del 2026).
L'azienda mostra forte fiducia nel mantenere la leadership nell'ambito HBM, puntando principalmente su: la stretta collaborazione con partner dell'ecosistema, inclusa una cooperazione con un importante foundry per la progettazione e produzione di chip logici; chiara visibilità della roadmap tecnologica.
Sul fronte dei prezzi, SK Hynix ribadisce che il volume spedito in bit e i prezzi di HBM vengono negoziati annualmente, con l'obiettivo di mantenere livelli di redditività simili allo scorso anno. Sebbene i prezzi di D5/LPD5 abbiano mostrato una significativa ripresa dal quarto trimestre 2025, l'azienda ritiene remoto il rischio di una rinegoziazione dei volumi contrattuali previsti per il 2026.
Inoltre, SK Hynix sta adottando un approccio più attivo nella remunerazione degli azionisti. Una volta raggiunto un saldo netto di cassa positivo come obiettivo prioritario, la compagnia manterrà la flessibilità nell'assegnazione anticipata di ulteriori ritorni agli azionisti. Questo, senza dubbio, invia un forte segnale positivo: la dirigenza è molto fiduciosa sia sulla forza sia sulla durata del presente ciclo della memoria, con una visibilità dei flussi di cassa più chiara rispetto ai cicli precedenti.
Pianificazione della capacità DRAM: strategia fabbrica prioritaria, sviluppo progressivo del sito di Yong-in
SK Hynix ha ulteriormente chiarito la logica strategica dietro il piano di investimenti in infrastrutture da circa 22 trilioni di won, il cui fulcro è la strategia "fabbrica prioritaria" (fab first).
La pianificazione specifica è la seguente:
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La prima fase della produzione presso lo stabilimento Yong-in 1 verrà anticipata di tre mesi, con il focus attuale posto sulla costruzione delle infrastrutture e delle cleanroom per garantire la flessibilità nell'espansione della capacità produttiva;
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Le restanti fasi dalla 2 alla 6 dello stabilimento Yong-in 1 saranno completate progressivamente tra il 2028 e il 2030;
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La direzione ha rivelato che la capacità di progettazione dello stabilimento Yong-in supera la fascia stimata da JPMorgan di 270.000-350.000 wafer/mese (WSPM), con la scala reale di costruzione della capacità che potrebbe variare in base alla progettazione degli edifici di stoccaggio e alle tempistiche di implementazione del processo 1dnm.
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