サムスン電子の1c DRAMの歩留まりが80％を超え、HBM4の歩留まりが約60％に達したと報じられる

格隆汇2月25日｜科創板日報によると、業界関係者は、Samsung Electronics内部で1c DRAMの歩留まりが80%に達したことを明らかにしました。これは高温環境下（熱テスト）で達成された最高の歩留まりであり、2025年第4四半期には歩留まりが約60〜70%だったものの、現在は大幅に向上し、5月頃には90%に達する見込みです。さらに業界関係者は、Samsungが1c DRAMをベースとしたHBM4の歩留まりも向上し、すでに60%近くに達していると述べました。昨年第4四半期には約50%でした。