Samsung, SK Hynix „passen Strategie an“: Produktionspläne für neue Speicherfabriken vorgezogen

Angesichts der durch künstliche Intelligenz getriebenen explosionsartigen Nachfrage nach Speicherchips beschleunigen die beiden südkoreanischen Speicher-Giganten Samsung Electronics und SK Hynix die Inbetriebnahme neuer Waferfabriken. Der strategische Schwerpunkt verschiebt sich dabei von einer zuvor vorsichtigen Mengensteuerung hin zu einer aktiven Kapazitätserweiterung, um von der „Superzyklus“-Rendite der Branche zu profitieren.

Laut der südkoreanischen Zeitung Chosun Ilbo plant SK Hynix, die Testläufe seiner ersten Waferfabrik in Yongin auf Februar bis März nächsten Jahres vorzuziehen und bereits vor dem geplanten Fertigstellungstermin zu starten. Auch Samsung Electronics zieht die Inbetriebnahme der Fabrik P4 in Pyeongtaek vom ursprünglich geplanten ersten Quartal nächsten Jahres auf das vierte Quartal dieses Jahres vor und bringt damit die Produktionsplanung um etwa drei Monate nach vorne. Beide Unternehmen werden auf den neuen Produktionslinien vor allem Produkte mit hoher Wertschöpfung wie Hochleistungs-DRAM und HBM (High Bandwidth Memory) fertigen.

Der Hintergrund für die beschleunigte Kapazitätserweiterung ist der explosionsartige Anstieg der Serverchip-Nachfrage durch die globale Expansion von AI-Rechenzentren. Laut KB Securities lag die Deckungsrate des Bedarfs an Speicherchips bei den wichtigsten Kunden bis Februar dieses Jahres nur bei etwa 60 %, die Knappheit hat sich gegenüber dem vierten Quartal des Vorjahres weiter verschärft. Bereits etwa 70 % der Speicherauslieferungen von Samsung Electronics werden von AI-Rechenzentrumsunternehmen absorbiert.

Der Markt geht allgemein davon aus, dass die angespannte Versorgungslage bis 2027 anhalten wird. Laut Citi Group wird das Angebotswachstum in diesem Jahr bei DRAM und NAND-Flash jeweils 17,5 % bzw. 16,5 % betragen, während das Nachfragewachstum auf 20,1 % bzw. 21,4 % geschätzt wird.

Neue Produktionslinien starten Monate früher

SK Hynix baut im Halbleiter-Cluster Yongin die erste Waferfabrik, die bis Mai nächsten Jahres fertiggestellt werden soll. Die äußeren Rahmenarbeiten sind etwa zur Hälfte abgeschlossen, drei der sechs Reinräume werden gleichzeitig errichtet. Die dreistöckige Fabrik ist sechsmal so groß wie die M15X-Waferfabrik in Cheongju.

Laut Chosun Ilbo unter Berufung auf Insiderinformationen bereitet sich SK Hynix darauf vor, die Testläufe noch vor dem geplanten Fertigstellungstermin zu starten, möglicherweise bereits im Februar oder März nächsten Jahres. Das Unternehmen plant, in den zuerst fertiggestellten Reinräumen rasch Anlagen zu installieren und vorrangig Hochleistungs-DRAM (z.B. DDR5) und HBM-Produkte für die hohe Nachfrage im AI-Zeitalter zu produzieren.

Samsung Electronics errichtet in Pyeongtaek die P4-Waferfabrik (vierte Fabrik). Die Fertigstellung war ursprünglich für das erste Quartal des nächsten Jahres geplant, nun soll die Produktion bereits im vierten Quartal dieses Jahres beginnen, der Zeitplan wird um etwa drei Monate vorgezogen. Samsung Electronics passt die Ausstattung der Speicher- und Wafer-Foundry-Anlagen je nach Marktlage flexibel an, wobei sich P4 voraussichtlich auf die aktuell knappen Hochleistungsspeicher konzentrieren wird. Berichten zufolge hat Samsung Electronics kürzlich eine Strategie entwickelt, in der P4-Fabrik eine neue Produktionslinie für HBM mit 10-nm-Technologie der sechsten Generation (1c) aufzubauen. Die monatliche Kapazität dieser Linie wird auf 100.000 bis 120.000 Wafer geschätzt.

Laut Chosun Ilbo zitierte ein Brancheninsider der Halbleiterindustrie:

"Die südkoreanischen Speicherunternehmen sind extrem beschäftigt, um die Produktionszeiten vorzuziehen."

Kapazitätsausbau kann mit Nachfragewachstum kaum Schritt halten

Marktforschungsdaten von Omdia zeigen, dass die DRAM-Jahreskapazität von Samsung Electronics (nach Wafer gerechnet) von 7,47 Millionen im Jahr 2024 auf 8,175 Millionen in diesem Jahr steigen wird. Die Kapazität von SK Hynix wird im gleichen Zeitraum von 5,115 Millionen auf 6,39 Millionen Wafer wachsen. Mit der vorgezogenen Inbetriebnahme der neuen Werke dürfte die Produktion im nächsten Jahr weiter steigen.

Der Kernantrieb für die beschleunigte Kapazitätserweiterung beider Unternehmen ist die sprunghaft gestiegene Nachfrage nach Hochleistungs-DRAM für Server durch die Expansion der AI-Rechenzentren. Da die Produktionslinien auf HBM-Chips mit hoher Wertschöpfung konzentriert werden, sinkt die Produktion von Standard-DRAM anteilig, was die Versorgungslage weiter verschärft.

KB Securities weist darauf hin:

"Bis Februar hat sich die Verknappung bei Speicherchips im Vergleich zum vierten Quartal des Vorjahres verschärft, die Versorgungsrate bei den wichtigsten Kunden lag nur bei 60 %. 70 % der Speicher-Auslieferungen von Samsung Electronics werden von AI-Rechenzentren absorbiert."

Citi Group analysiert, dass das Angebotswachstum von DRAM in diesem Jahr bei 17,5 % und das von NAND-Flash bei 16,5 % liegt. Im Vergleich dazu wird das Nachfragewachstum für DRAM auf 20,1 % und für NAND-Flash auf 21,4 % geschätzt, die Nachfrage übersteigt das Angebot weiterhin.

Marktforschungsunternehmen wie Morningstar und JPMorgan prognostizieren, dass die Speicherknappheit bis 2027 anhalten wird. DS Investment Securities erklärt dazu:

"Wenn das Angebotswachstum 2027 nur 1 % beträgt, wird dieser DRAM-Zyklus mindestens bis 2027 andauern. Die serverzentrierte DRAM-Nachfrage ist direkt mit der Wettbewerbsfähigkeit verbunden und kann kaum reduziert werden. Ein Preisanstieg wird voraussichtlich bis ins dritte Quartal 2026 andauern."

Unternehmen bestätigen deutliche Erhöhung der Investitionsausgaben

Samsung Electronics und SK Hynix erklärten auf ihren jüngsten Ergebnispräsentationen, dass die Investitionsausgaben in diesem Jahr erhöht werden sollen, um der Speicherknappheit zu begegnen. Kim Jae-june, Vizepräsident der Speicher-Sparte von Samsung Electronics, erklärte:

"Da die Nachfrage im Zusammenhang mit AI voraussichtlich anhalten wird, planen wir, die Investitionen in Ausrüstung bis 2026 deutlich zu erhöhen. Doch in diesem und im nächsten Jahr wird die Erweiterung der Anlagen begrenzt sein, sodass sich die Knappheit noch verschärfen könnte."

Diese Aussage unterstreicht die zeitliche Verzögerung beim Ausbau der Halbleiterkapazitäten. Obwohl die Unternehmen die Investitionen erhöhen und die Inbetriebnahme vorziehen, dauert es von der Errichtung bis zur stabilen Massenproduktion weiterhin eine gewisse Zeit, sodass das Ungleichgewicht zwischen Angebot und Nachfrage kurzfristig kaum vollständig ausgeglichen werden kann.

Ein Brancheninsider aus der Halbleiterindustrie erläutert die strategische Absicht hinter dem vorgezogenen Testbetrieb:

"Dies dient dazu, rasch in die Testbetriebsphase einzutreten, das System für die Massenproduktion zu stabilisieren und den Kunden zu signalisieren, dass eine stabile Versorgung möglich ist."