Berichten zufolge liegt die Ausbeute von Samsung Electronics 1c DRAM bei über 80 %, während die Ausbeute von HBM4 nahe bei 60 % liegt.

格隆汇 25. Februar｜Laut Odaily haben Insider berichtet, dass Samsung Electronics intern eine Ausbeute von 80 % bei 1c DRAM erreicht hat, was die höchste Ausbeute ist, die unter Hochtemperaturbedingungen (Hitzetest) erzielt wurde. Im vierten Quartal 2025 lag die Ausbeute bei etwa 60–70 %, jetzt wurde sie deutlich verbessert und könnte im Mai etwa 90 % erreichen. Insider fügten hinzu, dass auch die Ausbeute von HBM4 auf Basis von 1c DRAM bei Samsung gestiegen ist und nun fast 60 % erreicht, während sie im vierten Quartal des letzten Jahres bei etwa 50 % lag.