Kabar menyebutkan bahwa tingkat hasil DRAM 1c Samsung Electronics melebihi 80%, dan tingkat hasil HBM4 mendekati 60%.

Glonghui, 25 Februari｜Menurut laporan dari Sci-Tech Innovation Board Daily, sumber industri mengungkapkan bahwa Samsung Electronics secara internal telah mencapai tingkat hasil 80% untuk 1c DRAM, yang merupakan tingkat hasil tertinggi yang diperoleh dalam lingkungan suhu tinggi (uji panas). Pada kuartal keempat tahun 2025, tingkat hasilnya sekitar 60-70%, dan kini telah meningkat secara signifikan, serta diperkirakan akan mencapai 90% sekitar bulan Mei. Sumber industri lebih lanjut menyatakan bahwa tingkat hasil HBM4 berbasis 1c DRAM dari Samsung juga telah meningkat, mendekati 60%, dibandingkan sekitar 50% pada kuartal keempat tahun lalu.