Kabar menyebutkan bahwa Samsung Electronics akan menghentikan produksi 2D NAND flash, dan jalur produksi yang ada akan digunakan untuk proses memori DRAM 1c nm.

格隆汇2月26日｜Menurut TheElec, Samsung Electronics kemungkinan besar akan menghentikan produksi 2D NAND flash di jalur produksi nomor 12 di kompleks Hwaseong pada bulan Maret tahun ini, yang juga akan menandai berakhirnya era 2D NAND flash bagi perusahaan tersebut. Samsung Electronics sebenarnya telah memulai produksi massal 3D NAND (V-NAND) sejak tahun 2013, namun tetap mempertahankan kapasitas produksi 2D NAND dalam skala kecil untuk memenuhi permintaan pasar khusus tertentu. Ke depannya, jalur produksi nomor 12 di Hwaseong akan digunakan untuk memproduksi memori DRAM 1c nm, bertanggung jawab atas proses pengkabelan logam dan perawatan permukaan pada tahap akhir.