DRAM і NAND стрімко зростають! Чіпи для зберігання стають найціннішою валютою епохи AI, а Micron і SanDisk зустрічають «AI-супербонус»

У зв'язку з надзвичайно сильним попитом на штучний інтелект та центри даних, ціни на серію пам'яті DRAM/NAND продовжать зростати. Два супергіганти зберігання даних у США — Micron Technology (MU.US) та SanDisk (SNDK.US) — знову стали фокусом уваги світових інвесторів під час сильного відскоку технологічного сектору американського фондового ринку у середу, і обидві компанії за день виросли майже на 6%, сприяючи потужному відновленню сектора зберігання та індексу NASDAQ. Французький BNP Paribas нещодавно опублікував аналітичний звіт, в якому заявив, що контрактні ціни на DRAM у першому кварталі 2026 року ймовірно зростуть квартал до кварталу на 90%, а NAND, що відомий своєю стабільністю цін, має зрости на 55%; тенденція до підвищення цін з другого кварталу продовжить траєкторію зростання, що почалась у другій половині 2025 року.

Оцінка BNP Paribas щодо зростання цін на пам'ять не є ізольованою думкою. TrendForce нещодавно переглянув свої очікування щодо контрактних цін на стандартну DRAM у першому кварталі 2026 року: замість попереднього прогнозу збільшення на 55%-60% ціни зростуть на +90% до +95% (QoQ – квартал до кварталу). Контрактні ціни на NAND Flash також суттєво переглянуті до +55% до +60% QoQ. TrendForce вказує, що північноамериканські хмарні обчислення компанії різко збільшили попит на enterprise SSD (тобто корпоративні SSD для центрів даних, eSSD), що спричинить зростання їх цін у першому календарному кварталі ще на 53% до 58% QoQ. Це свідчить про ключовий факт: чіпи для зберігання стають “абсолютно центральними” у супер-вуязі штучного інтелекту, не поступаючись чіпам Nvidia AI, і залишаються одним із найперших вузлів постачання, де проявляється дисбаланс між попитом та пропозицією.

Вибухове зростання цін на пам'ять не зупиняється, BNP Paribas оптимістично дивиться на подальшу динаміку Micron і SanDisk

Старший аналітик BNP Paribas Karl Ackerman у звіті для клієнтів пише: «Глибока аналітика понад 50 SKU (динамічна оперативна пам'ять DRAM) та понад 75 контрактних SKU NAND дозволяє нам прогнозувати середню ціну DRAM у першому кварталі року з квартальним зростанням на 90%, а також суттєве зростання у другому кварталі. Головна причина — зростаючий попит на AI сервери, який створює більш широкий дисбаланс між попитом і пропозицією та формує сталі тенденції до підвищення цін.»

«Щодо продукції серії NAND, ми прогнозуємо, що ціни у першому кварталі можуть зрости квартал до кварталу на 55%, а у другому кварталі — знову підвищитись. Така динаміка зумовлена дисбалансом на стороні пропозиції — постачальники NAND постійно переводять потужності на виробництво корпоративних високопродуктивних NAND, і при цьому зберігають крайню обережність у нарощуванні нових потужностей.»

Аналітик Ackerman призначив Micron цільову ціну у 500 доларів за 12 місяців і SanDisk — 650 доларів. Станом на закриття американського ринку у середу, Micron виріс на 5,55% — до 400,77 долара, а SanDisk — на 5,95% до 599 доларів. Цільові ціни BNP Paribas означають, що потужний “бичачий” тренд з 2025 року ще не завершився.

За словами Ackerman з BNP Paribas, у лютому ціни на спотових ринках були ще сильнішими, і враховуючи кореляцію між спотовими та контрактними цінами, із наближенням оновлення контрактів це дуже позитивний сигнал для всього ринку чіпів для зберігання.

Ackerman пояснює: «У періоди зростання, спотові ціни на DRAM та NAND часто мають суттєву премію до контрактних цін. У лютому ціни на DDR4 для споживчої електроніки виросли квартал до кварталу на 11% (тобто рік до року — аж на 1284%) до 21,93 долара/GB, а контрактні ціни — на 7% (рік до року — на 688%) до 12,17 долара/GB, що означає премію спотової ціни у 80% до контрактної. Аналогічно, ціни на DDR5 для споживчої електроніки виросли квартал до кварталу на 9% (рік до року — на 673%) до 19,13 долара/GB, а контрактні — на 3% (рік до року — на 384%) до 11,04 долара/GB, тобто спотова премія складає 73%.»

Крім того, у середу декілька міжнародних медіа повідомили, що найбільший гравець на ринку пам'яті Samsung вже підвищив ціни на DRAM більш ніж на 100%. Згідно з корейським електронним виданням, Samsung Electronics минулого місяця завершила фінальні переговори щодо цін на постачання DRAM у першому кварталі з найбільшими клієнтами, включаючи Apple: середня ціна DRAM для серверів, ПК та мобільних пристроїв виросла на 100% до попереднього кварталу, у порівнянні з четвертим кварталом минулого року ціна подвоїлася, а для деяких клієнтів і продуктів зростання перевищило 100%. У матеріалі наведено слова обізнаних у галузі джерел, що переговори завершено, іноземні клієнти вже почали сплачувати. Це зростання у порівнянні з рівнем у 70% у січні, лише за місяць виросло ще на 30 процентних пунктів.

Швидке зростання цін докорінно змінює звичайні довгострокові контракти у глобальному секторі пам'яті, особливо через залежність GPU/TPU від систем HBM, DRAM, корпоративних SSD та тривалий дисбаланс між попитом і пропозицією. Період переговорів про постачання скоротився з традиційних річних контрактів до квартальних, а тепер навіть необхідно коригувати ціни щомісяця, що відображає гостроту дисбалансу у сфері чіпів для зберігання.

“Ланцюг обчислювальної потужності Google AI” та “ланцюг GPU Nvidia” неможливі без пам'яті

Як величезні TPU AI-обчислювальні кластери від Google, так і масштабні AI GPU-кластери Nvidia, залежні від HBM-систем пам'яті, інтегрованих поряд із AI-чіпами. На додаток до HBM, технологічні гіганти, такі як Google та OpenAI, пришвидшують будівництво нових або розширення існуючих AI-центрів даних, і мусять укладати великі контракти на оснащення серверів пам'яттю DDR5 та корпоративними високопродуктивними SSD/HDD. На відміну від Seagate і Western Digital, що сконцентрувались на великих nearline HDD, SanDisk зосереджена на високопродуктивних eSSD, а Samsung Electronics, SK hynix та Micron водночас домінують у декількох ключових сегментах пам'яті: HBM, серверний DRAM (зокрема DDR5/LPDDR5X) і корпоративний eSSD для центрів даних; ці виробники найбільше виграють від “супер-дивідендів” AI-інфраструктури як “пам'ять+зберігання всередині AI стеку”.

З точки зору низькорівневої апаратної теорії, обчислення AI визначаються не лише обмеженнями процесорної потужності, а й обмеженнями “здатності переносити дані”. Будь то GPU Nvidia або TPU, справжню ефективність навчання великих моделей та інференції визначають не лише кількість Tensor Core/матриць, а й те, наскільки швидко може бути подано ваги, KV cache, активації і проміжні тензори на обчислювальні ядра.

З точки зору перетину напівпровідникової галузі та AI-інфраструктури центрів даних, чіпи для зберігання є “ідеальною точкою входу” у хвилю AI, адже вони одночасно отримують вигоду від зростання тренування і інференції, а також є “універсальним пунктом оплати”, що працює між платформами, архітектурами та екосистемами. Коли ера AI переходить від домінування тренування до домінування інференції, агентів, довгого контексту та RAG, запити до об’єму, пропускної здатності, енергетичної ефективності та персистентного рівня даних лише зростають.

Офіційний документ Google прямо зазначає, що Cloud TPU оснащений HBM (High Bandwidth Memory) для підтримки більших моделей та batch size; Ironwood TPU, орієнтований на “еру інференції”, ще більше наростив об'єм та пропускну здатність HBM. У системі AI GPU Nvidia: архітектура Blackwell Ultra дозволяє одному GPU мати до 288GB HBM3e; GB300 NVL72 для стійкових систем теж будується для масштабної інференції довгого контексту навколо величезної ємності HBM. Іншими словами, без HBM пікова обчислювальна потужність GPU/TPU не буде реалізована; пам'ять і пропускна здатність визначають, чи може велика модель “запрацювати на повну потужність”.

Крім того, реальною опорою для центрів даних AI є не лише HBM. Повний AI-стріт пам'яті виглядає так: HBM відповідає за найшвидший подачу даних до акселератора, DDR5/RDIMM/LPDRAM — розширення оперативної пам’яті та попередню обробку даних, корпоративний SSD використовується для зберігання датасетів тренування, чекпойнтів, векторних баз, RAG-пошуку та кешування інференції. Micron прямо вказує у своїй документації: рішення для AI центрів даних охоплюють “повний набір пам’яті для тренування та інференції”; також рішення eSSD призначено для забезпечення швидкої подачі даних під час навчання і інференції. TrendForce також зазначає: як настала ера інференції AI, північноамериканські хмарні гіганти швидко збільшують закупівлі високопродуктивної пам'яті, а потреба у eSSD значно перевищує очікування. Тобто AI GPU-кластер неможливий без пам’яті, Google TPU-кластер також — різниця лише у бренді акселератора, але фундаментальна база пам’яті має складатися з HBM+серверного DRAM+NAND/SSD.

Аналітики Citigroup у своєму останньому огляді цін на пам'ять представили ще більш агресивну позицію щодо “суперциклу” пам’яті, ніж UBS, Nomura та JPMorgan. Аналітики Citigroup вважають, що через поширення AI Agent (виробничі робочі процеси за участю агентів) та зростання запитів на пам’ять у AI CPU, ціни на чіпи зберігання у 2026 році стрімко виростуть, і прогнозують, що середня ціна DRAM у 2026 році збільшиться на 88% (раніше прогнозували +53%), а NAND — на 74% (раніше +44%). Через подвійний попит на тренування й інференцію AI, ASP серверного DRAM у 2026 році має вирости рік до року на 144% (раніше прогнозували +91%). Наприклад, для 64 GB DDR5 RDIMM Citigroup прогнозує, що ціна у першому кварталі 2026 року сягне 620 доларів (+38% квартал до кварталу), значно більше попередньої оцінки у 518 доларів.

Щодо NAND, прогноз Citi також радикальний: очікуване зростання ASP у 2026 році — з +44% до +74%, із корпоративним SSD ASP збільшенням рік до року на 87%. На думку аналітиків Citi, ринок чіпів для зберігання входить у надзвичайно агресивний ринок продавця, а право визначати ціну повністю концентрується у таких гігантах пам’яті, як Samsung, SK hynix, Micron та SanDisk.