Новини

За повідомленням Odaily, згідно з моніторингом Onchain Lens, один великий власник повністю закрив свої короткі позиції по Ethereum і відкрив довгу позицію із використанням 20-кратного кредитного плеча на 19 700 ETH, що оцінюється у 39.5 мільйонів доларів США, з нереалізованим збитком понад 205 тисяч доларів США.

Згідно з доповіддю Goldman Sachs, 1 червня Goldman Sachs суттєво підвищила цільову ціну акцій SK Hynix, Samsung Electronics та Kioxia. Цільова ціна SK Hynix була підвищена до 3.3 мільйона – 3.5 мільйона корейських вон, цільова ціна Samsung Electronics підвищена до 480 тисяч корейських вон, рейтинг Kioxia підвищено до «купувати», а 12-місячна цільова ціна встановлена на рівні 93 тисячі японських єн. Goldman Sachs вважає, що система оцінки галузі зберігання даних переходить від ціни до балансової вартості до коефіцієнта прибутковості, і очікує, що дефіцит DRAM, NAND і HBM триватиме до 2028 року. При цьому обсяг ринку HBM у 2027 році підвищено на 54% до 116 мільярдів доларів США. Goldman Sachs попереджає, що нова структура оцінки потребує підтримки балансу активів і пасивів, інакше можлива повторна ситуація 2017 року.

BlockBeats News, 1 червня — Сьогодні Goldman Sachs випустив детальний глобальний звіт про індустрію напівпровідникових накопичувачів, офіційно оголосивши про суттєве підвищення цільових цін для SK Hynix, Samsung Electronics і Kioxia. Цільова ціна SK Hynix підвищена до діапазону 3,3–3,5 мільйона південнокорейських вон (що передбачає близько 53% потенціалу зростання), цільова ціна Samsung Electronics піднята до 480 000 південнокорейських вон (близько 60% потенціалу зростання), а рейтинг Kioxia оновлено до "Buy" із 12-місячною цільовою ціною 93 000 японських ієн. Основна логіка цього підвищення полягає в історичній зміні у структурі оцінки індустрії накопичувачів — Goldman Sachs вважає, що стійкий попит, спричинений розвитком AI, обмеженням пропозиції та поширенням довгострокових угод (LTA), трансформує галузь накопичувачів із суто циклічного товарного ринку у інфраструктуру для AI з передбачуваною прибутковістю. Галузевий бенчмарк офіційно змінився з коефіцієнта Price-to-Book (P/B) на Price-to-Earnings (P/E), що наразі фіксується на рівні близько 9 разів P/E. У звіті також суттєво підвищено прогноз розриву між попитом і пропозицією, зазначаючи, що дефіцит у трьох основних категоріях — DRAM, NAND і HBM — зберігатиметься до 2028 року. Найбільш серйозний дефіцит спостерігається у HBM, причому розмір ринку на 2027 рік переглянуто у бік підвищення на 54% — до 116 мільярдів доларів США. Раніше Morgan Stanley та JPMorgan вже зазначали, що широке впровадження LTA трансформує циклічний бізнес гігантів накопичувачів у технологічну інфраструктуру зі стабільним грошовим потоком. Поточний форвардний коефіцієнт P/E складає лише 7,3 рази, що відповідає оцінковому дисконту 50%–80% порівняно з TSMC, відкриваючи історичну можливість для зменшення цього дисконту. Проте Goldman Sachs також застеріг, що єдині вагомі докази, які можуть підтримати нову оціночну структуру, полягають у реальних передплачених активах на балансі та юридично зафіксованих зобов'язаннях щодо відстрочених доходів. В іншому разі, нарратив про зміну циклів може знову опинитися у пастці перетворення форвардних угод на недійсні, як це вже відбулося у 2017 році.